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RM4N650T2

RM4N650T2

RM4N650T2

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO220-3

não conforme

RM4N650T2 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.45000 $0.45
500 $0.4455 $222.75
1000 $0.441 $441
1500 $0.4365 $654.75
2000 $0.432 $864
2500 $0.4275 $1068.75
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.2Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 280 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 46W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220-3
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

DMP4025LSSQ-13
STP20N90K5
STP20N90K5
$0 $/pedaço
BTS130-E3045A
FCPF190N60-F154
FCPF190N60-F154
$0 $/pedaço
APT13F120S
APT13F120S
$0 $/pedaço
ISL9N312AD3ST
BUK9Y38-100E,115
RQ1A070APTR
RQ1A070APTR
$0 $/pedaço
SI7308DN-T1-GE3
SI7322DN-T1-GE3

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