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RM4N650IP

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Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO251

não conforme

RM4N650IP Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.33000 $0.33
500 $0.3267 $163.35
1000 $0.3234 $323.4
1500 $0.3201 $480.15
2000 $0.3168 $633.6
2500 $0.3135 $783.75
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.2Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 280 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 46W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-251
pacote / caixa TO-251-3 Stub Leads, IPak
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Número da peça relacionada

STFW8N120K5
STFW8N120K5
$0 $/pedaço
MTAJ30N06ELFK
MTAJ30N06ELFK
$0 $/pedaço
SI3437DV-T1-E3
SI3437DV-T1-E3
$0 $/pedaço
STF17N80K5
STF17N80K5
$0 $/pedaço
2SK2731T146
2SK2731T146
$0 $/pedaço
RM40P40LD
RM40P40LD
$0 $/pedaço
FQP12P10
FQP12P10
$0 $/pedaço
STB7NK80Z-1
STB7NK80Z-1
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