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RM2N650LD

RM2N650LD

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Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 650V 2A TO252-2

não conforme

RM2N650LD Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.30000 $0.3
500 $0.297 $148.5
1000 $0.294 $294
1500 $0.291 $436.5
2000 $0.288 $576
2500 $0.285 $712.5
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.5Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 190 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 23W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252-2
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

IRFB9N65APBF
IRFB9N65APBF
$0 $/pedaço
STP31N65M5
STP31N65M5
$0 $/pedaço
STD6N60DM2
STD6N60DM2
$0 $/pedaço
FDD5680
FDD5680
$0 $/pedaço
STL140N6F7
STL140N6F7
$0 $/pedaço
NVMJS0D9N04CLTWG
NVMJS0D9N04CLTWG
$0 $/pedaço
STW26NM50
STW26NM50
$0 $/pedaço
BUK7Y13-40B,115

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