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RM20N60LD

RM20N60LD

RM20N60LD

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 60V 20A TO252-2

não conforme

RM20N60LD Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.14000 $0.14
500 $0.1386 $69.3
1000 $0.1372 $137.2
1500 $0.1358 $203.7
2000 $0.1344 $268.8
2500 $0.133 $332.5
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 20A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 35mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 500 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 45W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252-2
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

AUIRFR540ZTRL
IPP65R190E6XKSA1
FCD900N60Z
FCD900N60Z
$0 $/pedaço
NX138BKWX
NX138BKWX
$0 $/pedaço
BUK7606-55A,118
BUK7606-55A,118
$0 $/pedaço
R6020ANX
R6020ANX
$0 $/pedaço
BUK9629-100B,118

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