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RM100N65DF

RM100N65DF

RM100N65DF

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 65V 100A 8DFN

compliant

RM100N65DF Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.65000 $0.65
500 $0.6435 $321.75
1000 $0.637 $637
1500 $0.6305 $945.75
2000 $0.624 $1248
2500 $0.6175 $1543.75
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 65 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 100A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) +20V, -12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 9500 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 142W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-DFN (5x6)
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

DMP2066LSN-7
IPP076N15N5AKSA1
DMT10H014LSS-13
SQM100N02-3M5L_GE3
NVMFS5C466NLT1G
NVMFS5C466NLT1G
$0 $/pedaço
NVMFS6H824NWFT1G
NVMFS6H824NWFT1G
$0 $/pedaço
IRF830APBF
IRF830APBF
$0 $/pedaço
NTMFS4C024NT3G
NTMFS4C024NT3G
$0 $/pedaço
FDC634P
FDC634P
$0 $/pedaço
PMPB85ENEA/FX
PMPB85ENEA/FX
$0 $/pedaço

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