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RM100N30DF

RM100N30DF

RM100N30DF

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 30V 100A 8DFN

não conforme

RM100N30DF Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.36000 $0.36
500 $0.3564 $178.2
1000 $0.3528 $352.8
1500 $0.3492 $523.8
2000 $0.3456 $691.2
2500 $0.342 $855
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 100A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5000 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 65W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-DFN (5x6)
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

MTB30P06V
MTB30P06V
$0 $/pedaço
FQU8N25TU
IRLML6401TRPBF
STB30N80K5
STB30N80K5
$0 $/pedaço
FDP090N10
FDP090N10
$0 $/pedaço
FDMC7672

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