Welcome to ichome.com!
| Nome | Valor |
|---|---|
| status do produto | Active |
| tipo de feto | N-Channel |
| tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| tensão de dreno para fonte (vdss) | 650 V |
| corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c | 46A |
| tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) | 15V |
| rds em (máx.) @ id, vgs | 79mOhm @ 20A, 15V |
| vgs(th) (máx.) @ id | 2.2V @ 20mA (Typ) |
| taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs | - |
| vgs (máx.) | +20V, -8V |
| capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds | - |
| característica fet | - |
| dissipação de potência (máx.) | 170W |
| temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| tipo de montagem | Through Hole |
| pacote de dispositivo do fornecedor | TO-220-2L |
| pacote / caixa | TO-220-2 |
Dedicado a exceder suas expectativas. IChome: Atendimento ao cliente redefinido para a indústria eletrônica.