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PJW5N06A-AU_R2_000A1

PJW5N06A-AU_R2_000A1

PJW5N06A-AU_R2_000A1

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

compliant

PJW5N06A-AU_R2_000A1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.58000 $0.58
500 $0.5742 $287.1
1000 $0.5684 $568.4
1500 $0.5626 $843.9
2000 $0.5568 $1113.6
2500 $0.551 $1377.5
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 5A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 75mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 9.3 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 509 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.72W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-223
pacote / caixa TO-261-4, TO-261AA
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Número da peça relacionada

IXFJ80N25X3
IXFJ80N25X3
$0 $/pedaço
SI4114DY-T1-E3
SI4114DY-T1-E3
$0 $/pedaço
NTNS2K1P021ZTCG
NTNS2K1P021ZTCG
$0 $/pedaço
MIC94053YC6-TR
NTD4809NA-35G
NTD4809NA-35G
$0 $/pedaço
BUK954R4-80E,127
BUK954R4-80E,127
$0 $/pedaço

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