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PJQ4443P-AU_R2_000A1

PJQ4443P-AU_R2_000A1

PJQ4443P-AU_R2_000A1

40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

compliant

PJQ4443P-AU_R2_000A1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.01000 $1.01
500 $0.9999 $499.95
1000 $0.9898 $989.8
1500 $0.9797 $1469.55
2000 $0.9696 $1939.2
2500 $0.9595 $2398.75
4900 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 8.8A (Ta), 46A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 12mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 23 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2767 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.1W (Ta), 59.5W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor DFN3333-8
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

RMW130N03TB
RMW130N03TB
$0 $/pedaço
SFM9110TF
IRFS4321TRL7PP
G3R75MT12J
SIUD403ED-T1-GE3
IPI147N12N3G
SIB441EDK-T1-GE3

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