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PJQ4414P_R2_00001

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PJQ4414P_R2_00001

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

não conforme

PJQ4414P_R2_00001 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.52000 $0.52
500 $0.5148 $257.4
1000 $0.5096 $509.6
1500 $0.5044 $756.6
2000 $0.4992 $998.4
2500 $0.494 $1235
5000 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 8A (Ta), 25A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 18mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 4.3 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 392 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2W (Ta), 21W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor DFN3333-8
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

PXN012-60QLJ
PXN012-60QLJ
$0 $/pedaço
SP000629364
R6006KND3TL1
R6006KND3TL1
$0 $/pedaço
FCP170N60
IRFH5250TRPBF
NVMFS5C460NT1G
NVMFS5C460NT1G
$0 $/pedaço
FDN361BN
FDN361BN
$0 $/pedaço

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