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PJQ2463A_R1_00001

PJQ2463A_R1_00001

PJQ2463A_R1_00001

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

SOT-23

não conforme

PJQ2463A_R1_00001 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.55000 $0.55
500 $0.5445 $272.25
1000 $0.539 $539
1500 $0.5335 $800.25
2000 $0.528 $1056
2500 $0.5225 $1306.25
2990 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 3.2A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 105mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 10 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 785 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor DFN2020B-6
pacote / caixa 6-WDFN Exposed Pad
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Número da peça relacionada

FDFME3N311ZT
FDFME3N311ZT
$0 $/pedaço
IXFA72N30X3
IXFA72N30X3
$0 $/pedaço
SFR9120TM
SUD23N06-31-GE3
SI2333CDS-T1-BE3
STD13N60M2
STD13N60M2
$0 $/pedaço

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