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PJQ1902_R1_00001

PJQ1902_R1_00001

PJQ1902_R1_00001

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

compliant

PJQ1902_R1_00001 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.47000 $0.47
500 $0.4653 $232.65
1000 $0.4606 $460.6
1500 $0.4559 $683.85
2000 $0.4512 $902.4
2500 $0.4465 $1116.25
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Not For New Designs
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 500mA (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1.1V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 0.87 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±10V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 34 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 700mW (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 3-DFN (0.6x1)
pacote / caixa 3-UFDFN
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Número da peça relacionada

DMP22D5UFO-7B
IXFB52N90P
IXFB52N90P
$0 $/pedaço
IXTT2N300P3HV
IXTT2N300P3HV
$0 $/pedaço
SI8466EDB-T2-E1
NTD65N03R-1G
NTD65N03R-1G
$0 $/pedaço
AUIRF1404ZSTRL
DMN3730UFB4-7B
RM50N60LD
RM50N60LD
$0 $/pedaço

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