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PJP4NA90_T0_00001

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PJP4NA90_T0_00001

900V N-CHANNEL MOSFET

não conforme

PJP4NA90_T0_00001 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.71000 $1.71
500 $1.6929 $846.45
1000 $1.6758 $1675.8
1500 $1.6587 $2488.05
2000 $1.6416 $3283.2
2500 $1.6245 $4061.25
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 900 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.4Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 17 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 710 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 140W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

STSJ60NH3LL
STSJ60NH3LL
$0 $/pedaço
NVBG060N090SC1
NVBG060N090SC1
$0 $/pedaço
IXTH12N70X2
IXTH12N70X2
$0 $/pedaço
NVTFS008N04CTAG
NVTFS008N04CTAG
$0 $/pedaço
NVTYS004N04CLTWG
NVTYS004N04CLTWG
$0 $/pedaço
APT20M20JLL
NDP603AL
RTL020P02FRATR
IXTT90P10P
IXTT90P10P
$0 $/pedaço
IPB015N08N5ATMA1

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