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PJP3NA50_T0_00001

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PJP3NA50_T0_00001

500V N-CHANNEL MOSFET

não conforme

PJP3NA50_T0_00001 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.12000 $1.12
500 $1.1088 $554.4
1000 $1.0976 $1097.6
1500 $1.0864 $1629.6
2000 $1.0752 $2150.4
2500 $1.064 $2660
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 500 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 3A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 6.5 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 260 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 44W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

HUF76437S3ST
SPD30N03S2L-20G
IRF200B211
IRFP360LCPBF
IRFP360LCPBF
$0 $/pedaço
APT30F50S
APT30F50S
$0 $/pedaço
P3M12080G7
NTD4906N-1G
NTD4906N-1G
$0 $/pedaço
IRFL210TRPBF-BE3

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