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PJP2NA1K_T0_00001

PJP2NA1K_T0_00001

PJP2NA1K_T0_00001

1000V N-CHANNEL MOSFET

compliant

PJP2NA1K_T0_00001 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.08000 $1.08
500 $1.0692 $534.6
1000 $1.0584 $1058.4
1500 $1.0476 $1571.4
2000 $1.0368 $2073.6
2500 $1.026 $2565
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 1000 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 9Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 14 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 385 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 80W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

FDL100N50F
FDL100N50F
$0 $/pedaço
STF42N60M2-EP
AUIRFR6215TRL
FDC633N
FDC633N
$0 $/pedaço
NVTFS5116PLTWG
NVTFS5116PLTWG
$0 $/pedaço
SIHP12N65E-GE3
SIHP12N65E-GE3
$0 $/pedaço
FDC655AN

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