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PJMF580N60E1_T0_00001

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PJMF580N60E1_T0_00001

600V SUPER JUNCITON MOSFET

compliant

PJMF580N60E1_T0_00001 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.80000 $1.8
500 $1.782 $891
1000 $1.764 $1764
1500 $1.746 $2619
2000 $1.728 $3456
2500 $1.71 $4275
1996 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 8A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 580mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 497 pF @ 400 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 28W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor ITO-220AB-F
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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Número da peça relacionada

3LN01S-K-TL-E
3LN01S-K-TL-E
$0 $/pedaço
BUK9611-80E,118
PMXB75UPE147
PMXB75UPE147
$0 $/pedaço
SI1499DH-T1-E3
SI1499DH-T1-E3
$0 $/pedaço
FQD16N25CTM
FQD16N25CTM
$0 $/pedaço
BSP320SL6433
PMPB10XNEZ
PMPB10XNEZ
$0 $/pedaço
STW48N60M2-4
STW48N60M2-4
$0 $/pedaço
NTD4855NT4H
NTD4855NT4H
$0 $/pedaço
BSC029N025SG

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