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PJF18N20_T0_00001

PJF18N20_T0_00001

PJF18N20_T0_00001

200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

SOT-23

não conforme

PJF18N20_T0_00001 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.05000 $1.05
500 $1.0395 $519.75
1000 $1.029 $1029
1500 $1.0185 $1527.75
2000 $1.008 $2016
2500 $0.9975 $2493.75
1996 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 18A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 160mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 24 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1017 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 50W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor ITO-220AB
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

NTHL095N65S3H
NTHL095N65S3H
$0 $/pedaço
IRF840APBF
IRF840APBF
$0 $/pedaço
IXFH16N80P
IXFH16N80P
$0 $/pedaço
BSC011N03LSATMA1
FQD6N60CTM
DI9952T
DI9952T
$0 $/pedaço
IPW65R190E6
SCTW35N65G2V
SCTW35N65G2V
$0 $/pedaço
IRLR7833TRLPBF
MGSF1N03LT1G
MGSF1N03LT1G
$0 $/pedaço

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