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PJE8400_R1_00001

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PJE8400_R1_00001

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

não conforme

PJE8400_R1_00001 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.47000 $0.47
500 $0.4653 $232.65
1000 $0.4606 $460.6
1500 $0.4559 $683.85
2000 $0.4512 $902.4
2500 $0.4465 $1116.25
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 1.1A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.8V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 88mOhm @ 1.1A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1.2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 4.6 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 350 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 300mW (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-523
pacote / caixa SOT-523
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Número da peça relacionada

FQAF90N08
RM135N100T2
RM135N100T2
$0 $/pedaço
IXFT44N50Q3
IXFT44N50Q3
$0 $/pedaço
SIR626LDP-T1-RE3
PSMN022-30BL,118
IXTA08N100D2
IXTA08N100D2
$0 $/pedaço
DMN3067LW-13
FDB86366-F085
FDB86366-F085
$0 $/pedaço

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