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PJD7NA60_L2_00001

PJD7NA60_L2_00001

PJD7NA60_L2_00001

600V N-CHANNEL MOSFET

compliant

PJD7NA60_L2_00001 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Not For New Designs
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 7A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.2Ohm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 15.2 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 723 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 140W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

SPD08P06P
SPD08P06P
$0 $/pedaço
IRLR3714TRRPBF
BSS123LT3
BSS123LT3
$0 $/pedaço
HUF75617D3ST
HUF75617D3ST
$0 $/pedaço
IPA50R280CE
IRL5602STRLPBF
NTD50N03R-035
NTD50N03R-035
$0 $/pedaço
IRFR3518TRPBF
IPDH5N03LA G

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