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PJC138L_R1_00001

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PJC138L_R1_00001

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

não conforme

PJC138L_R1_00001 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.51000 $0.51
500 $0.5049 $252.45
1000 $0.4998 $499.8
1500 $0.4947 $742.05
2000 $0.4896 $979.2
2500 $0.4845 $1211.25
2960 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 200mA (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.8V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.2Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 1.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 0.7 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 15 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 350mW (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-323
pacote / caixa SC-70, SOT-323
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Número da peça relacionada

SI4396DY-T1-GE3
IRFP440PBF
IRFP440PBF
$0 $/pedaço
FCP600N60Z
FCP600N60Z
$0 $/pedaço
FDB150N10
FDB150N10
$0 $/pedaço
STP4N52K3
STP4N52K3
$0 $/pedaço
NVMFS6H800NLWFT1G
NVMFS6H800NLWFT1G
$0 $/pedaço
SQJ126EP-T1_GE3

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