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PCDD1065G1_L2_00001

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650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE

não conforme

PCDD1065G1_L2_00001 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $4.56000 $4.56
500 $4.5144 $2257.2
1000 $4.4688 $4468.8
1500 $4.4232 $6634.8
2000 $4.3776 $8755.2
2500 $4.332 $10830
3000 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de diodo Silicon Carbide Schottky
tensão - dc reversa (vr) (máx.) 650 V
corrente - média retificada (io) 10A (DC)
tensão - direta (vf) (máx.) @ if 1.7 V @ 10 A
velocidade No Recovery Time > 500mA (Io)
tempo de recuperação reversa (trr) 0 ns
corrente - fuga reversa @ vr 70 µA @ 650 V
capacitância @ vr, f 364pF @ 1V, 1MHz
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252AA
temperatura de operação - junção -55°C ~ 175°C
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Número da peça relacionada

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