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PCDB20120G1_T0_00001

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PCDB20120G1_T0_00001

1200V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE

não conforme

PCDB20120G1_T0_00001 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $13.68000 $13.68
500 $13.5432 $6771.6
1000 $13.4064 $13406.4
1500 $13.2696 $19904.4
2000 $13.1328 $26265.6
2500 $12.996 $32490
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de diodo Silicon Carbide Schottky
tensão - dc reversa (vr) (máx.) 1200 V
corrente - média retificada (io) 20A (DC)
tensão - direta (vf) (máx.) @ if 1.7 V @ 20 A
velocidade No Recovery Time > 500mA (Io)
tempo de recuperação reversa (trr) 0 ns
corrente - fuga reversa @ vr 180 µA @ 1200 V
capacitância @ vr, f 1040pF @ 1V, 1MHz
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263
temperatura de operação - junção -55°C ~ 175°C
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Número da peça relacionada

IDD09E60BUMA1
P2000M
P2000M
$0 $/pedaço
SJPL-H2V
SJPL-H2V
$0 $/pedaço
SDM05U20CSP-7
FFPF10U60STU
BAT41
BAT41
$0 $/pedaço
242NQ030-1
242NQ030-1
$0 $/pedaço
PMEG6020EPAF
PMEG6020EPAF
$0 $/pedaço
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