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NVTFS4C06NWFTWG

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN

não conforme

NVTFS4C06NWFTWG Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
5,000 $0.44987 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 21A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 26 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1683 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.1W (Ta), 37W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-WDFN (3.3x3.3)
pacote / caixa 8-PowerWDFN
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Número da peça relacionada

RSJ400N06TL
RSJ400N06TL
$0 $/pedaço
SI4435FDY-T1-GE3
STF6N52K3
STF6N52K3
$0 $/pedaço
BSO301SPHXUMA1
STD10NM60ND
STD10NM60ND
$0 $/pedaço
FDS6679AZ
FDS6679AZ
$0 $/pedaço
PMV170UN,215
PMV170UN,215
$0 $/pedaço
TP2104N3-G-P003
NVMFS5C406NLT1G
NVMFS5C406NLT1G
$0 $/pedaço

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