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NVMYS6D2N06CLTWG

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NVMYS6D2N06CLTWG

onsemi

MOSFET N-CH 60V 17A/71A 4LFPAK

compliant

NVMYS6D2N06CLTWG Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $2.14000 $2.14
500 $2.1186 $1059.3
1000 $2.0972 $2097.2
1500 $2.0758 $3113.7
2000 $2.0544 $4108.8
2500 $2.033 $5082.5
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 17A (Ta), 71A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) -
rds em (máx.) @ id, vgs 6.1mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 53µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1400 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.6W (Ta), 61W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor LFPAK4 (5x6)
pacote / caixa SOT-1023, 4-LFPAK
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Número da peça relacionada

SISS46DN-T1-GE3
STD8N80K5
STD8N80K5
$0 $/pedaço
IRF610B
IRF610B
$0 $/pedaço
STY140NS10
STY140NS10
$0 $/pedaço
FDS8670
FDS8670
$0 $/pedaço
SPI07N60C3XKSA1
PMPB95ENEA/FX
SIRA10BDP-T1-GE3

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