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NVMYS2D2N06CLTWG

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NVMYS2D2N06CLTWG

onsemi

MOSFET N-CH 60V 31A/185A LFPAK4

compliant

NVMYS2D2N06CLTWG Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.85508 $1.85508
500 $1.8365292 $918.2646
1000 $1.8179784 $1817.9784
1500 $1.7994276 $2699.1414
2000 $1.7808768 $3561.7536
2500 $1.762326 $4405.815
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 31A (Ta), 185A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 180µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 69 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4850 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.9W (Ta), 134W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor LFPAK4 (5x6)
pacote / caixa SOT-1023, 4-LFPAK
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Número da peça relacionada

FQP20N06L
FQP20N06L
$0 $/pedaço
IPB014N06NATMA1
STFW38N65M5
STFW38N65M5
$0 $/pedaço
STL105N4LF7AG
FQD5P20TM
FQD5P20TM
$0 $/pedaço
IPDH4N03LAG
APT58M50JU3
IPI65R420CFD

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