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NVMFS5C430NLWFT1G

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onsemi

MOSFET N-CH 40V 200A 5DFN

SOT-23

não conforme

NVMFS5C430NLWFT1G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,500 $0.77446 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Discontinued at Digi-Key
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 200A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4300 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.8W (Ta), 110W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
pacote / caixa 8-PowerTDFN, 5 Leads
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Número da peça relacionada

IPB60R385CP
IRFZ44ZS
IRFZ44ZS
$0 $/pedaço
IXFR21N100Q
IXFR21N100Q
$0 $/pedaço
PSMN015-110P,127
PHB222NQ04LT,118
PHB222NQ04LT,118
$0 $/pedaço
SI3467DV-T1-E3
SI3467DV-T1-E3
$0 $/pedaço
IXFY4N60P3
IXFY4N60P3
$0 $/pedaço
IXKH20N60C5
IXKH20N60C5
$0 $/pedaço
IPD50R280CEATMA1
HUF76633S3ST-F085
HUF76633S3ST-F085
$0 $/pedaço

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