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NVD5807NT4G

NVD5807NT4G

NVD5807NT4G

onsemi

MOSFET N-CH 40V 23A DPAK

compliant

NVD5807NT4G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 23A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 31mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 603 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 33W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor DPAK
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

RUE002N05TL
RUE002N05TL
$0 $/pedaço
2SK4196LS-1E
2SK4196LS-1E
$0 $/pedaço
IXTT16P20
IXTT16P20
$0 $/pedaço
64-6006PBF
IPD35N10S3L-26
2N6760
2N6760
$0 $/pedaço
IXFB50N80Q2
IXFB50N80Q2
$0 $/pedaço
IRF6722MTRPBF
NVD6415ANT4G
NVD6415ANT4G
$0 $/pedaço

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