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NVB5860NT4G

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onsemi

MOSFET N-CH 60V 220A D2PAK-3

compliant

NVB5860NT4G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 220A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 180 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 10760 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 283W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IPD135N03LG
IRLR3715ZTRPBF
IRFH4210TRPBF
DI017N06PQ-AQ
PSMN004-60P,127
PSMN004-60P,127
$0 $/pedaço
IRF3717TR
IRF3717TR
$0 $/pedaço
HUFA76419S3ST
FDS7079ZN3
FDS7079ZN3
$0 $/pedaço
IRF7471TR
IRF7471TR
$0 $/pedaço
STS19N3LLH6
STS19N3LLH6
$0 $/pedaço

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