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NTTFS6H850NTAG

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onsemi

MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN

não conforme

NTTFS6H850NTAG Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,500 $0.92207 -
3,000 $0.85848 -
7,500 $0.82668 -
10,500 $0.80934 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 80 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 11A (Ta), 68A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 9.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 70µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 19 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1140 pF @ 40 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.2W (Ta), 107W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-WDFN (3.3x3.3)
pacote / caixa 8-PowerWDFN
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Número da peça relacionada

SI2315BDS-T1-E3
PMG370XN,115
PMG370XN,115
$0 $/pedaço
IXTH10N100D
IXTH10N100D
$0 $/pedaço
FCB260N65S3
FCB260N65S3
$0 $/pedaço
IXFT24N90P
IXFT24N90P
$0 $/pedaço
NVR1P02T1G
NVR1P02T1G
$0 $/pedaço
ZVN4424GTA
ZVN4424GTA
$0 $/pedaço
RS1E280BNTB
RS1E280BNTB
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5LN01C-TB-E
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