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NTR2101PT1G

NTR2101PT1G

NTR2101PT1G

onsemi

MOSFET P-CH 8V SOT23-3

compliant

NTR2101PT1G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.10267 -
6,000 $0.09722 -
15,000 $0.08903 -
30,000 $0.08358 -
75,000 $0.07539 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 8 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 3.7A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.8V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 52mOhm @ 3.5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 15 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1173 pF @ 4 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 960mW (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-3 (TO-236)
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

VP3203N8-G
VP3203N8-G
$0 $/pedaço
SPP18P06PHXKSA1
PMN28UN,135
PMN28UN,135
$0 $/pedaço
PMF290XN,115
PMF290XN,115
$0 $/pedaço
AUIRFR4105ZTRL
RS1E240GNTB
RS1E240GNTB
$0 $/pedaço
RD3L01BATTL1
RD3L01BATTL1
$0 $/pedaço
STL36N55M5
STL36N55M5
$0 $/pedaço
PMXB65ENE147
PMXB65ENE147
$0 $/pedaço

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