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NTP5860NG

NTP5860NG

NTP5860NG

onsemi

SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 60

compliant

NTP5860NG Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $3.54000 $3.54
50 $2.84620 $142.31
100 $2.59330 $259.33
500 $2.09990 $1049.95
1,000 $1.77100 -
8566 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 220A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 180 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 10760 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 283W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

STL18NM60N
STL18NM60N
$0 $/pedaço
2N7002HV-TP
2N7002HV-TP
$0 $/pedaço
NVMTS001N06CLTXG
NVMTS001N06CLTXG
$0 $/pedaço
3LN03SS-TL-E
3LN03SS-TL-E
$0 $/pedaço
RF1K49211
RF1K49211
$0 $/pedaço
BSZ042N04NS
DMT12H007SPS-13
STL24N60M6
STL24N60M6
$0 $/pedaço
FDMT1D3N08B
FDMT1D3N08B
$0 $/pedaço
IRFD9110
IRFD9110
$0 $/pedaço

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