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NTLJS3113PT1G

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onsemi

MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN

não conforme

NTLJS3113PT1G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.20801 -
6,000 $0.19459 -
15,000 $0.18117 -
30,000 $0.17178 -
18 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 3.5A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 40mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 15.7 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1329 pF @ 16 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 700mW (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 6-WDFN (2x2)
pacote / caixa 6-WDFN Exposed Pad
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Número da peça relacionada

MCH3421-TL-E
MCH3421-TL-E
$0 $/pedaço
IPD95R450P7ATMA1
DMG3401LSNQ-13
NTB60N06T4G
NTB60N06T4G
$0 $/pedaço
SIHF9630STRL-GE3
STB46N30M5
STB46N30M5
$0 $/pedaço
IRLR3114ZTRPBF

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