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NTD4979N-35G

NTD4979N-35G

NTD4979N-35G

onsemi

MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A IPAK

compliant

NTD4979N-35G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
900 $0.34941 $314.469
10875 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 9.4A (Ta), 41A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 16.5 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 837 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.38W (Ta), 26.3W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor I-PAK
pacote / caixa TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Número da peça relacionada

C3M0075120J-TR
C3M0075120J-TR
$0 $/pedaço
IRFL014NTRPBF
PH2925U,115
PH2925U,115
$0 $/pedaço
NTMS4816NR2G
NTMS4816NR2G
$0 $/pedaço
SFR2955TF
IXTA18P10T
IXTA18P10T
$0 $/pedaço
FQU4N50TU
IRF5801TRPBF
DMN3730UFB-7

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