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NTD18N06LT4G

NTD18N06LT4G

NTD18N06LT4G

onsemi

MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

não conforme

NTD18N06LT4G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.37834 -
5,000 $0.35224 -
12,500 $0.33920 -
25,000 $0.33208 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 18A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 5V
rds em (máx.) @ id, vgs 65mOhm @ 9A, 5V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 22 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±15V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 675 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.1W (Ta), 55W (Tj)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor DPAK
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

ISP650P06NMXTSA1
FDMS7650
FDMS7650
$0 $/pedaço
IXFB30N120P
IXFB30N120P
$0 $/pedaço
IPD65R190C7ATMA1
FDD306P
FDD306P
$0 $/pedaço
FQI5N50CTU
IXTA60N10T
IXTA60N10T
$0 $/pedaço
IXTX4N300P3HV
IXTX4N300P3HV
$0 $/pedaço
STF8N60DM2
STF8N60DM2
$0 $/pedaço

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