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NTB30N06T4G

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onsemi

MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK

não conforme

NTB30N06T4G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 27A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 42mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 46 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1200 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 88.2W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IPP35CN10N G
STDLED627
STDLED627
$0 $/pedaço
IRF7353D2
IRF7353D2
$0 $/pedaço
IRL3502L
IRL3502L
$0 $/pedaço
SI3495DV-T1-E3
SI3495DV-T1-E3
$0 $/pedaço
STW55NM60ND
STW55NM60ND
$0 $/pedaço
FDMS86101E
FDMS86101E
$0 $/pedaço
IRFZ44VSTRL
FQPF1P50
MCMN2012-TP
MCMN2012-TP
$0 $/pedaço

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