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NIS5112D1R2G1

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onsemi

IC ELECTRONIC FUSE HOTSWAP 8SOIC

NIS5112D1R2G1 Ficha de dados

compliant

NIS5112D1R2G1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $1.68696 -
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Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
função Electronic Fuse
método de detecção -
precisão -
tensão - entrada 9V ~ 18V
corrente - saída 2A
temperatura de operação -40°C ~ 175°C
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pacote de dispositivo do fornecedor 8-SOIC
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Número da peça relacionada

TPS259573DSGT
Texas Instruments
TPS259573DSGT
$0 $/pedaço
INA381A4IDGST
Texas Instruments
INA381A4IDGST
$0 $/pedaço
NTE15006E
NTE Electronics, Inc
NTE15006E
$0 $/pedaço
AD8213YRMZ-R7
Analog Devices Inc.
AD8213YRMZ-R7
$0 $/pedaço
INA302A3IPW
Texas Instruments
INA302A3IPW
$0 $/pedaço
CMJD3500 TR
Central Semiconductor Corp
CMJD3500 TR
$0 $/pedaço
TPS259824ONRGER
Texas Instruments
TPS259824ONRGER
$0 $/pedaço
ZXCT1080QE5TA
Diodes Incorporated
ZXCT1080QE5TA
$0 $/pedaço
INA197AQDBVRQ1
Texas Instruments
INA197AQDBVRQ1
$0 $/pedaço
INA381A1QDGSRQ1
Texas Instruments
INA381A1QDGSRQ1
$0 $/pedaço
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