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NDT2955

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onsemi

MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4

NDT2955 Ficha de dados

compliant

NDT2955 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
4,000 $0.24706 -
8,000 $0.23112 -
12,000 $0.21518 -
28,000 $0.20402 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2.5A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 300mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 601 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-223-4
pacote / caixa TO-261-4, TO-261AA
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Número da peça relacionada

MCH6336-S-TL-E
MCH6336-S-TL-E
$0 $/pedaço
IPP027N08N5AKSA1
APT1201R4SFLLG
PMCM6501UNEZ
PMCM6501UNEZ
$0 $/pedaço
DMN2050LQ-7
DMN2050LQ-7
$0 $/pedaço
UF3C065040K4S
UF3C065040K4S
$0 $/pedaço
NVMYS3D5N04CTWG
NVMYS3D5N04CTWG
$0 $/pedaço
SQJA82EP-T1_GE3

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