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NDS8852H

NDS8852H

NDS8852H

onsemi

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

não conforme

NDS8852H Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N and P-Channel
característica fet Logic Level Gate
tensão de dreno para fonte (vdss) 30V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4.3A, 3.4A
rds em (máx.) @ id, vgs 80mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.8V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 25nC @ 10V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 300pF @ 15V
potência - máx. 1W
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pacote de dispositivo do fornecedor 8-SOIC
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Número da peça relacionada

SIL2623-TP
SIL2623-TP
$0 $/pedaço
IRF7331
IRF7331
$0 $/pedaço
SIZ790DT-T1-GE3
BSO4804T
BSO4804T
$0 $/pedaço
IPA180N10N3G
SI8901EDB-T2-E1
DMC3061SVT-13

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