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NDD02N40T4G

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onsemi

MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK

não conforme

NDD02N40T4G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 400 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 1.7A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 5.5Ohm @ 220mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 5.5 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 121 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 39W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor DPAK
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

FDV304P_NB8U003
FDV304P_NB8U003
$0 $/pedaço
NTD85N02RG
NTD85N02RG
$0 $/pedaço
IPL65R660E6AUMA1
HUFA76429S3ST
HUFA76429S3ST
$0 $/pedaço
IXFH24N50Q
IXFH24N50Q
$0 $/pedaço
IRL3102
IRL3102
$0 $/pedaço
STS17NH3LL
STS17NH3LL
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