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NDB6060

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onsemi

MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK

NDB6060 Ficha de dados

não conforme

NDB6060 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 48A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 25mOhm @ 24A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1800 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 100W (Tc)
temperatura de operação -65°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IRLL1905TR
IRLL1905TR
$0 $/pedaço
RSS075P03FU6TB
ZXMN3A01E6TC
IRF3709ZPBF
SI7491DP-T1-GE3
IPD105N03LGATMA1
PHP45N03LTA,127
PHP45N03LTA,127
$0 $/pedaço
IRLR024ZTRPBF

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