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NDB6020P

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onsemi

P-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMEN

compliant

NDB6020P Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 24A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 50mOhm @ 12A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 35 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1590 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 60W (Tc)
temperatura de operação -65°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

UF3SC065040D8S
UF3SC065040D8S
$0 $/pedaço
STP7NB60
STP7NB60
$0 $/pedaço
AUIRFSL4115
HUFA76645P3
HUFA76645P3
$0 $/pedaço
PHK4NQ10T,518
PHK4NQ10T,518
$0 $/pedaço
IXTN320N10T
IXTN320N10T
$0 $/pedaço
BSO080P03SNTMA1
IRFR2405TRRPBF
SIA448DJ-T1-GE3

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