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MUN5212DW1T1G

MUN5212DW1T1G

MUN5212DW1T1G

onsemi

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

não conforme

MUN5212DW1T1G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.04760 -
6,000 $0.04161 -
15,000 $0.03563 -
30,000 $0.03363 -
75,000 $0.03164 -
150,000 $0.02831 -
827 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
corrente - coletor (ic) (máx.) 100mA
tensão - quebra do coletor emissor (máx.) 50V
resistor - base (r1) 22kOhms
resistor - base emissora (r2) 22kOhms
ganho de corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce 60 @ 5mA, 10V
saturação vce (máx.) @ ib, ic 250mV @ 300µA, 10mA
corte de corrente - coletor (máx.) 500nA
frequência - transição -
potência - máx. 250mW
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
pacote de dispositivo do fornecedor SC-88/SC70-6/SOT-363
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Número da peça relacionada

DDC114YU-7-F
IMD9AT108
IMD9AT108
$0 $/pedaço
UMH4NFHATN
UMH4NFHATN
$0 $/pedaço
PIMC32-QX
PIMC32-QX
$0 $/pedaço
NSBC114YPDXV6T1
NSBC114YPDXV6T1
$0 $/pedaço
NSBC143EPDXV6T1G
NSBC143EPDXV6T1G
$0 $/pedaço
PUMB11,115
PUMB11,115
$0 $/pedaço
EMD22T2R
EMD22T2R
$0 $/pedaço

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