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MCH6337-TL-E

MCH6337-TL-E

MCH6337-TL-E

onsemi

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, P

compliant

MCH6337-TL-E Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.16000 $0.16
500 $0.1584 $79.2
1000 $0.1568 $156.8
1500 $0.1552 $232.8
2000 $0.1536 $307.2
2500 $0.152 $380
271304 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4.5A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.8V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 49mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1.3V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 7.3 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±10V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 670 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.5W (Ta)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SC-88FL/MCPH6
pacote / caixa 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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Número da peça relacionada

STD9N80K5
STD9N80K5
$0 $/pedaço
IXFH54N65X3
IXFH54N65X3
$0 $/pedaço
CSD18510KTT
CSD18510KTT
$0 $/pedaço
STP11NK50ZFP
STP11NK50ZFP
$0 $/pedaço
FDPF7N60NZT
IRF60B217
IRF60B217
$0 $/pedaço
FCA20N60-F109
FCA20N60-F109
$0 $/pedaço
RM60N75LD
RM60N75LD
$0 $/pedaço

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