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FQP1N60

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onsemi

MOSFET N-CH 600V 1.2A TO220-3

FQP1N60 Ficha de dados

compliant

FQP1N60 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 1.2A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 11.5Ohm @ 600mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 6 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 150 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 40W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220-3
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

SI3441BDV-T1-GE3
SIHP22N60AEL-GE3
NVD5802NT4G-TB01
NVD5802NT4G-TB01
$0 $/pedaço
NVATS5A106PLZT4G
NVATS5A106PLZT4G
$0 $/pedaço
AUIRLS3114Z
RSS070P05TB1
RSS070P05TB1
$0 $/pedaço
IRFL1006
IRFL1006
$0 $/pedaço
BSC240N12NS3 G
BUK76150-55A,118
BUK76150-55A,118
$0 $/pedaço
SI1056X-T1-GE3
SI1056X-T1-GE3
$0 $/pedaço

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