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FQD7N30TM

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onsemi

MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK

não conforme

FQD7N30TM Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.50612 -
5,000 $0.48221 -
12,500 $0.46513 -
2000 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Last Time Buy
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 300 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 5.5A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 700mOhm @ 2.75A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 17 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 610 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252AA
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

APT19F100J
APT19F100J
$0 $/pedaço
DMG3420U-7
DMG3420U-7
$0 $/pedaço
APT36N90BC3G
PMN28UNEX
PMN28UNEX
$0 $/pedaço
SCT3022ALGC11
IRF7493TRPBF
SUM90N10-8M2P-E3
FCP600N65S3R0
FCP600N65S3R0
$0 $/pedaço
SI7414DN-T1-GE3

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