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FQD4P40TM

FQD4P40TM

FQD4P40TM

onsemi

MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK

compliant

FQD4P40TM Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.55208 -
5,000 $0.52600 -
12,500 $0.50737 -
2500 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 400 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2.7A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.1Ohm @ 1.35A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 680 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252AA
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

BUK625R2-30C,118
FCH023N65S3L4
FCH023N65S3L4
$0 $/pedaço
PHB47NQ10T,118
RF1S50N06
RF1S50N06
$0 $/pedaço
IXTA60N20T-TRL
IXTA60N20T-TRL
$0 $/pedaço
SPA04N80C3XKSA1

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