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FQB4N20LTM

FQB4N20LTM

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onsemi

MOSFET N-CH 200V 3.8A D2PAK

compliant

FQB4N20LTM Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 3.8A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.35Ohm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 5.2 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 310 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.13W (Ta), 45W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

NVMFS6B14NT1G
NVMFS6B14NT1G
$0 $/pedaço
IRFR3711PBF
STL34N65M5
STL34N65M5
$0 $/pedaço
FDMC7692S-F127
FDMC7692S-F127
$0 $/pedaço
SI7120DN-T1-GE3
IRF644NSTRL
IRF644NSTRL
$0 $/pedaço

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