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| Nome | Valor |
|---|---|
| status do produto | Active |
| tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
| tensão - dc reversa (vr) (máx.) | 650 V |
| corrente - média retificada (io) | 4A |
| tensão - direta (vf) (máx.) @ if | 1.75 V @ 4 A |
| velocidade | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| tempo de recuperação reversa (trr) | 0 ns |
| corrente - fuga reversa @ vr | 200 µA @ 650 V |
| capacitância @ vr, f | 247pF @ 1V, 100kHz |
| tipo de montagem | Surface Mount |
| pacote / caixa | 4-PowerTSFN |
| pacote de dispositivo do fornecedor | 4-PQFN (8x8) |
| temperatura de operação - junção | -55°C ~ 175°C |
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