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FDT439N

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT223-4

FDT439N Ficha de dados

compliant

FDT439N Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
4,000 $0.29635 -
8,000 $0.27591 -
12,000 $0.26569 -
28,000 $0.26012 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6.3A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 45mOhm @ 6.3A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 15 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 500 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-223-4
pacote / caixa TO-261-4, TO-261AA
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Número da peça relacionada

NVMFS6H801NT1G
NVMFS6H801NT1G
$0 $/pedaço
BS170-D26Z
BS170-D26Z
$0 $/pedaço
DN2470K4-G
DN2470K4-G
$0 $/pedaço
APT8015JVFR
FDD8453LZ
FDD8453LZ
$0 $/pedaço
SIHU4N80E-GE3
SIHU4N80E-GE3
$0 $/pedaço
APT5016BFLLG
XP234N08013R-G

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