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FDS5351

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onsemi

MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC

FDS5351 Ficha de dados

não conforme

FDS5351 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.34964 -
5,000 $0.32681 -
12,500 $0.31540 -
25,000 $0.30918 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6.1A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 35mOhm @ 6.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 27 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1310 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 5W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-SOIC
pacote / caixa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Número da peça relacionada

ZXMN0545G4TA
FQPF9N50CT
IPU95R750P7AKMA1
IRFR320TRPBF
IRFR320TRPBF
$0 $/pedaço
NTTFS4C58NTAG
NTTFS4C58NTAG
$0 $/pedaço
NTMFS5C645NLT1G
NTMFS5C645NLT1G
$0 $/pedaço
DMT69M8LFV-13
IXTA120P065T
IXTA120P065T
$0 $/pedaço
STFU6N65
STFU6N65
$0 $/pedaço

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